RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3636
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link