RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3259
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link