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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
12800
Rund um 1.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
16800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2318
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
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Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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