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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
43
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2163
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
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InnoDisk Corporation 16GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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