RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2806
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link