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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2549
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OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
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