RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3292
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link