RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.1
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
3012
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link