RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
14900
Rund um 1.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.6
Speicherbandbreite, mbps
14900
21300
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
3567
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link