RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2353
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link