RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
3257
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link