RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2213
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5469-042.A00LF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link