RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2773
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link