RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
106
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
106
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2048
1252
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link