RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2029
3837
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link