RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
49
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2029
2427
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link