RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
73
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2650
1724
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link