RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
3562
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Mushkin 994083 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link