RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
28
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
18.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
3543
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link