RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2281
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link