RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3857
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link