RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3657
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link