RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
41
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3364
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link