RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
41
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2443
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link