RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3806
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Mushkin 996902 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link