RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
60
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2359
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link