RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
42
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2902
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link