RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
42
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2989
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT2TXRG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link