RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
3675
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link