RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3183
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link