RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3077
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link