RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
16
44
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
16
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3906
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link