RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2690
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link