RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2680
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link