RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
44
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2266
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link