RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2346
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link