RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
44
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2501
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link