RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2271
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link