RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3168
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link