RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
61
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
1813
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link