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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
45
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
1535
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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