SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 42
    Rund um -50% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.8 left arrow 12.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.1 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 14900
    Rund um 1.14 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.8 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 10.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2269 left arrow 2179
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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