RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3103
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link