RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
65
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2778
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link