RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
65
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3310
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link