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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
9.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2505
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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