RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
65
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2172
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link