RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
65
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3419
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link