RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2128
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link