RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
66
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2863
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link